4*4芯片,用于傳感應(yīng)用,也與液體介質(zhì)中的測(cè)量兼容。
·生長(zhǎng)方法:CVD合成
·聚合物輔助轉(zhuǎn)移
·模具尺寸:4 mm x 4 mm
·切屑厚度:525μm
·每個(gè)芯片的通道數(shù):28
·柵極氧化物厚度:90 nm
·柵極氧化物材料:SiO2
·襯底電阻率:1-10Ω·cm
·金屬化:Au觸點(diǎn)
·封裝:200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率:>1000 cm2/V.s
·狄拉克點(diǎn)(PBS中的液體門控):<1 V