化學氣相沉積系統（冷壁CVD）
冷壁CVD 生長設備是對現有石英管式爐CVD 生長設備功耗大、控制性差、產量低等缺點開發出來的一款新型CVD 生長設備。該設備不僅可以用于石墨烯生長，還可用于六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE 薄膜及復合薄膜生長。
1.背景氣壓低，雜質氣體干擾少。
2. 參數控制性好，實驗重現性高。
3. 可擴展性強，可以定制原位金屬電極
蒸鍍參雜等功能。
4. 能耗低，產量高，適用于工業化生產
（大型冷壁CVD）。
技術參數：
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