這就是石墨烯，亞利桑那大學和日本物材研拍到清晰照片
hBN基板上的單層石墨烯的掃描顯微（STM）照片。小蜂窩構造是石墨烯。大蜂窩構造是hBN與石墨烯產生的衍射條紋的一種。照片由亞利桑那大學教授Brian J. LeRoy提供。
美國亞利桑那大學宣布，與美國麻省理工學院（MIT）及日本物質和材料研究機構的研究人員一道，成功拍攝了石墨烯的清晰顯微照片等。照片是在基板采用與石墨呈相同蜂窩結構的薄膜重疊形成的六方氮化硼（hBN）時拍攝的，為全球首次拍攝成功。關于該研究的詳細論文已刊登在學術雜志《Nature Materials》上。
石墨烯具有多種出色特性。不過，在載流子遷移率等電特性方面顯示高性能的大多是“無支持（free-standing）”狀態下的測定值。無支持狀態是指僅固定石墨烯薄膜的兩端而其余大部分不與基板直接接觸的狀態。
而與Si基板和SiO2基板接觸放置的石墨烯，其載流子遷移率在1萬cm2/Vs左右，只有無支持狀態下的幾十分之一。這是將石墨烯應用于晶體管所需要解決的重要課題。
最近發現：如果選擇hBN作為基板，就能夠確保石墨烯比較高的特性。英國曼徹斯特大學教授康斯坦丁·諾沃肖羅夫（Konstantin Novoselov）在接受《日經電子》的采訪時也表示“把石墨烯放在hBN基板上，傳導長度要（比放在SiO2基板上）延長數倍”。
此次由亞利桑那大學教授Brian J. LeRoy的研究小組用掃描隧道顯微鏡（STM）仔細觀察了hBN基板上的石墨烯。不僅成功拍攝到了清晰的照片，還得出了電子和空穴的遷移程度只有SiO2基板的約1/100、跟無支持狀態下的石墨烯相當的結果。
目前已經知道，hBN不管層數和形狀都具有5.5eV以上的帶隙，事實上為絕緣體。根據此次的結果，有人還提出hBN能夠用作石墨烯晶體管的絕緣層。（記者：野澤 哲生）
摘自《技術在線》
