將電池和超級(jí)電容器的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合到單個(gè)器件中是一項(xiàng)重大的科學(xué)和技術(shù)挑戰(zhàn)。從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看,電極材料在器件中起著關(guān)鍵作用,根本難點(diǎn)在于將高密度的活性位點(diǎn)整合到具有出色電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)的穩(wěn)定材料中。在這里,提出在適當(dāng)親電試劑(K
+)存在下,通過(guò)氫氧根離子對(duì)鹵素官能團(tuán)的親核取代以及羥基官能團(tuán)原位氧化的共同作用,合成了一種幾乎全氧官能化的二維導(dǎo)電過(guò)渡金屬碳化物(Ti
3C
2O
y)。Ti
3C
2O
y中超高密度的Ti-O/Ti=O活性位點(diǎn)使所制備的電極在酸性電解液中展現(xiàn)了極高的質(zhì)量比電容和體積比電容(0.85V 電位窗口下分別為1,082 F g
−1和3,182 F cm
−3,接近許多過(guò)渡金屬氧化物的理論電容量),將其與氫化普魯士藍(lán)(正極)構(gòu)成的器件能量密度可與鉛酸電池相當(dāng),并可在-70至60°C寬溫區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)壽命循環(huán)及快速充放電。此外,Ti
3C
2O
y的高功函數(shù)以及費(fèi)米能級(jí)附近的高電子態(tài)密度,使得所合成Ti
3C
2O
y兼具優(yōu)異的抗氧化性及高電導(dǎo)率。這些有希望的結(jié)果為高能量、高功率存儲(chǔ)器件以及電磁屏蔽以及電子和光電器件的發(fā)展提供了途徑。
Fig 1. a,b) 傳統(tǒng)顆粒狀過(guò)渡金屬氧化物與具有類過(guò)渡金屬氧化物表面二維材料的電容存儲(chǔ)示意圖。c) 親核取代構(gòu)建全氧表面MXene (Ti
3C
2O
y)示意圖。d,e) Ti
3C
2O
y的理論容量、實(shí)驗(yàn)容量與其它材料對(duì)比。
Fig 2. 原始 Ti
3C
2T
x 和在 280 °C 下水熱處理 20 小時(shí) (H-280) 的樣品的表征。a) 原始 Ti
3C
2T
x 薄膜和 H-280 薄膜的 XPS 光譜。b) 原始 Ti
3C
2T
x 薄膜和 H-280 薄膜的高分辨率 O 1s 和 Ti 2p 光譜。c,d) 原始 Ti
3C
2T
x 薄膜和 H-280 薄膜的 EDS 測(cè)試 (c) 元素和 XPS 測(cè)試 (d) 中含氧官能團(tuán)的百分比分布。e,f) 分層原始 Ti
3C
2T
x (e) 和 H-280 (f) 薄膜的 HAADF STEM 圖像。g,h) 沿 [0001] 方向觀察的單層原始 Ti
3C
2T
x (g) 和 H-280 (h) 薄膜的 HAADF STEM 圖像。i-l) 通過(guò) FIB 解剖的原始 Ti
3C
2T
x (i, k) 和 H-280 (j, l) 真空過(guò)濾薄膜的橫截面 HAADF STEM 圖像。它們的質(zhì)量載荷為 3 mg cm
−2。m) Ti
3AlC
2 粉末、Ti
3C
2T
x 粉末(無(wú)超聲處理)以及原始 Ti
3C
2T
x 和 H-280 薄膜的 XRD 圖譜。(g)和(h)的底部圖像分別是沿[0001]方向觀察的Ti
3C
2O
2和Ti
3C
2O的結(jié)構(gòu)模型。(k) 和 (l) 的底部圖像分別是 Ti
3C
2O
2 和 Ti
3C
2O 的截面結(jié)構(gòu)模型。 由于 Ti
3C
2O
2、Ti
3C
2(OH)
2、Ti
3C
2F
2 和 Ti
3C
2Cl
2 占據(jù)了原始 Ti
3C
2T
x 的 ≈85%,并且它們的結(jié)構(gòu)沿 [0001] 和橫截面方向非常相似(圖
S9,支持信息),因此 Ti
3C
2O
2 被用作原始的 Ti
3C
2T
x.雖然 Ti
3C
2O 是 H-280 的主要成分,但在本文中,Ti
3C
2O 用作 H-280 的近似模型。
Fig 3. 原始 Ti
3C
2T
x 和 Ti
3C
2O
y (H-280) 的電導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性。a) 質(zhì)量負(fù)荷為 3 mg cm
-2 的原始 Ti
3C
2T
x 薄膜和 H-280 薄膜的光學(xué)圖像和電導(dǎo)率。b) 具有不同末端基團(tuán)的 Ti
3C
2 單層的態(tài)密度 (DOS)。c,d) 從 Ti
3C
2T
x 和 H-280 膠體溶液中真空過(guò)濾的薄膜在 60 °C 空氣中暴露 2 天后的 XPS 光譜。對(duì)于來(lái)自原始 Ti
3C
2T
x 膠體溶液的薄膜,在 60 °C 的空氣中暴露 2 天后,檢測(cè)到強(qiáng) TiO
2 峰 (c)。而對(duì)于 H-280 的薄膜,只能檢測(cè)到一個(gè)弱的 TiO
2 峰 (d)。e,f,從原始 Ti
3C
2T
x 和 H-280 膠體溶液中真空過(guò)濾并在室溫下在空氣中暴露 3 個(gè)月的薄膜的 XPS 光譜。在室溫下暴露在空氣中 3 個(gè)月后,從原始 Ti
3C
2T
x 膠體溶液 (e) 真空過(guò)濾的薄膜中檢測(cè)到明顯的氧化。然而,從 H-280 膠體溶液 (f) 真空過(guò)濾的薄膜幾乎沒(méi)有變化。
Fig 4. 原始 Ti
3C
2T
x 和 Ti
3C
2O
y (H-280) 的電化學(xué)性能。a) 原始 Ti
3C、
2T
x 和 H-280 薄膜電極(質(zhì)量負(fù)載為 1 mg cm
-2)的循環(huán)伏安圖,掃描速率為 5 mV s
-1,插層電容區(qū)域由陰影矩形區(qū)域表示。b) 原始 Ti
3C
、2T
x 和 H-280 薄膜電極的比電容,根據(jù)循環(huán)伏安圖以 5 mV s
-1 的掃描速率計(jì)算 (a)。插層分量的比電容近似為 129 F g
−1。c,d) 根據(jù)不同掃描速率的循環(huán)伏安圖計(jì)算的原始 Ti
3C
2T
x 和 H-280 薄膜電極的重量 (c) 和體積 (d) 倍率性能。e) 在不同溫度下以 2 mV s
-1 的掃描速率測(cè)得的 H-280 薄膜電極的比電容。插圖顯示了在 20 °C 和 -60 °C 下以 2 mV s
-1 的掃描速率測(cè)量的 H-280 薄膜電極的循環(huán)伏安圖。f) 在 0.2 V 下, 20 °C ,Ti
3C
2T
x 和 H-280 薄膜電極收集的電化學(xué)阻抗譜數(shù)據(jù)。 插圖顯示高頻范圍。為了方便比較,這兩個(gè)薄膜電極的插層電容是統(tǒng)一的,這不會(huì)影響 H-280 薄膜電極的偽電容急劇上升的事實(shí)。
Fig 5. H-280 || H-TBA 質(zhì)子電池的電化學(xué)性能。a) 使用 H-280 薄膜作為陽(yáng)極的超級(jí)電容器和質(zhì)子電池的示意圖。對(duì)于超級(jí)電容器配置,電解液的體積應(yīng)為 H-280 薄膜電極的 5.5 倍。相比之下,大多數(shù)陽(yáng)離子來(lái)自對(duì)電極,在 H-280||H-TBA 混合動(dòng)力電池。b) 全電池制造:H-280 (0.3 mg cm
-2) 和 H-TBA (0.7 mg cm
-2) 的三電極循環(huán)伏安圖,掃描速率為 5 mV s
-1。c) H-280||H-TBA 質(zhì)子電池在不同掃描速率下。d) H-280||H-TBA 質(zhì)子電池在 5 A g
-1的恒流循環(huán)期間隨溫度的變化。插圖描繪了不同溫度下的恒電流充放電曲線。e) 本工作中的質(zhì)子電池(器件級(jí))與鉛酸電池、偽電容器和有機(jī)電解質(zhì)中的 EDLC 的綜合比較。
相關(guān)研究工作由揚(yáng)州大學(xué)Jianning Ding、Jiang Xu,悉尼科技大學(xué)Guoxiu Wang,賓夕法尼亞州立大學(xué)Shanhai Ge,江蘇大學(xué)等人于2024年聯(lián)合發(fā)表在《Advanced Functional Materials》期刊上,Nucleophilic Substitution Enables MXene Maximum Capacitance and Improved Stability,原文鏈接:
https://doi.org/10.1002/adfm.202408892
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)