介電材料與磁性成分和微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的結(jié)合已被證明是實(shí)現(xiàn)高效電磁波（EMW）吸收的理想方法。在此，作者通過巧妙的碳熱還原策略，成功地構(gòu)建了由磁性/介電多成分構(gòu)成的 Fe3Si/SiC/SiO2 復(fù)合材料。值得注意的是，所獲得的 Fe3Si/SiC/SiO2 復(fù)合材料在 1600 ℃、填充率極低的 15 wt%條件下具有出色的微波吸收性能，最小反射損耗（RLmin）為 - 64.77 dB，有效吸收帶寬（EAB）為 5.53 GHz。Fe3Si/SiC/SiO2 復(fù)合材料的高效吸收特性得益于磁介質(zhì)損耗效應(yīng)和阻抗匹配。多孔結(jié)構(gòu)也增強(qiáng)了阻抗匹配，從而提高了材料的吸收能力?？傊?，這項(xiàng)研究工作為設(shè)計(jì)在多頻段/低頻段具有強(qiáng)吸收能力、寬吸收頻段和輕質(zhì)的電磁波吸收體介紹了一種新策略。
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Fig 1. (a) Fe3Si/SiC/SiO2 復(fù)合材料的合成過程示意圖。所有樣品的 XRD (b) 圖樣、(c) S-3 的 XPS 勘測光譜和 S-3 的高分辨率(d) Fe2p、(e) O1s、(f) C1s 和 (g) Si2p。
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Fig 2. 所有復(fù)合材料的低倍（a-d）和高倍（a1-d1）掃描電鏡圖像。S-3 的 C、Si 和 O 元素圖（e-e4）。
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Fig 3. S-3 的 TEM 圖像（a、b、c、d）和元素圖譜（e-e4）、TEM 圖像（f）和 HRTEM 圖像（g、h）。
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Fig 4. 復(fù)合材料隨頻率變化的 (a)ε¢、(b)ε"和 (c) tan
de、復(fù)磁導(dǎo)率和磁損耗正切 (d-f)、C
0 (g) 和阻抗匹配曲線 (h)，以及衰減常數(shù) (i)。
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Fig 5. S-1、S-2、S-3、S-4 的科爾-科爾曲線（a-d）。
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Fig 6. S-1 (a, a1, a2)、S-2 (b, b1, b2)、S-3 (c, c1, c2) 和 S-6 (d, d1, d2) 的 RL 曲線的三維和二維圖像。
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Fig 7. S-1 (a)、S-2 (b)、S-3 (c) 和 S-4 (d) 在 4.48 GHz 頻率下的三維模擬模型。(e) S-1 至 S-4 在不同探測角度下的 RCS 值。
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Fig 8. S-3 的電磁波損耗機(jī)制示意圖。
相關(guān)研究工作由成都理工大學(xué)Qinchuan He 和Yiqun Wang課題組于2024年在線發(fā)表在《Journal of Alloys and Compounds》期刊上，Preparation and electromagnetic waves absorption performance of novel Fe3Si/SiC/SiO2 composites，原文鏈接：
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.175617
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
