最近,在3/4填充附近的雙絞石墨烯(TBG)中,我們發現具有自發鐵磁性的量子異常霍爾效應。重要的是,我們還觀察到極小電流甚至可以切換磁化方向,這為實現低功耗磁存儲器提供了前景。然而,由于人們普遍認為石墨烯中的電荷電流是非磁性的,因此對電流驅動的磁化切換機理知之甚少。在這項工作中,我們證明了在TBG中,扭轉和襯底引發的對稱性破缺,會使電荷電流產生平面外軌道磁化。此外,平坦帶的大貝里曲率使布洛赫電子具有較大的軌道磁矩,因此較小的電流可以產生較大的軌道磁化強度。在實驗中,我們進一步證明了電荷電流如何將鐵磁TBG的磁化強度切換到3/4填充附近。
Fig. 1 TBG的能量色散。
Fig. 2 布洛赫電子的軌道磁矩。
Fig. 3 應變TBG的磁電響應。
Fig. 4 電流感應的磁化切換。
相關研究成果于2020年由香港科技大學K. T. Law課題組,發表在Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-020-15473-9)上。原文:Giant orbital magnetoelectric effect and current-induced magnetization switching in twisted bilayer graphene